PCRAM de memória, PCM, PRAM

Concebido como um substituto natural para as tecnologias existentes de memória A tecnologia não volátil usada pelos dispositivos móveis atuais, essas memórias são baseadas na tecnologia de cristal em vez de silício.

Questão de siglas

A memória de mudança de fase, conhecida por sua sigla em inglês PCRAM ou PRAM (Phase-Change Random Access Memory) ou, também, muito comumente para PCM (Phase Change Memory), ele também responde a outros nomes: OUM (Ovonic Unified Memory), CRAM ou C-RAM (RAM calcogênica).

É uma memória baseada em cristais calcogênicos, que são aqueles que mudam de forma quando o calor é aplicado sobre eles. Conforme a forma muda, também muda resistência que esses mesmos cristais apresentam, podendo então determinar, com base nessa resistência, estados correspondentes a zero e um, que são aqueles usados ​​pelo lógica binário que permite o funcionamento de dispositivos eletrônicos.

No estado amorfo, a resistência é maior e representa o estado zero, enquanto no estado cristalino, a resistência é menor e representa o estado binário um.

Essa mudança de estado é realizada com maior Rapidez do que em dispositivos baseados em tecnologia de silício, especialmente quando falamos sobre o escrevendo, uma operação geralmente mais lenta do que o leitura, que também é mais rápido do que as memórias baseadas em silício.

Esta tecnologia é semelhante ao que encontramos em CDs e DVD, e embora nesses casos o material de base utilizado seja o mesmo, o que se manipula no caso desses discos são as propriedades ópticas, e não a resistência elétrica.

Outra qualidade que essas memórias apresentam é que sua vida operacional é mais longa do que as memórias tradicionais de silício.

Esperanças para o futuro

Atualmente, o desempenho oferecido pelos dispositivos de armazenar com base na memória PRAM é comparável e até inferior às de outras tecnologias, como flash, mas o O limite superior para o qual eles podem ser calculados é muito maior, e é uma tecnologia que está sendo começando a implemento.

Além disso, todos nós sabemos como a indústria de tecnologia gosta de espremer as tecnologias existentes antes se aventurar a lançar novos no mercado, de forma que para a popularização do CRAM ainda tenha clima.

Dispositivos com memórias do tipo OUM serão muito rápidos, especialmente nas operações de escrita, portanto, o futuro mais imediato de Esse tipo de solução é esperado na área de sistemas de alto desempenho, como servidores, jogos e dispositivos móveis de última geração. Alto.

Fotos: iStock - Reptile8488 / J-Roman