Pomnilnik PCRAM, PCM, PRAM

Zasnovan kot naravni nadomestek za obstoječe tehnologije v Ljubljani spomin Nehlapna tehnologija, ki jo uporabljajo sedanje mobilne naprave, temelji na kristalni tehnologiji in ne na siliciju.

Vprašanje kratic

Pomnilnik fazne spremembe, znan pod angleško kratico PCRAM ali PRAM (Phase-Change Random Access Memory) ali pa tudi zelo običajno za PCM (Phase Change Memory), odziva se tudi na druga imena: OUM (Ovonic Unified Memory), CRAM ali C-RAM (Kalkogeni RAM).

Gre za spomin, ki temelji na halkogenih kristalih, ki spremenijo obliko, ko nanje nanesemo toploto. S spreminjanjem oblike se spreminja tudi vzdržljivost da so ti isti kristali prisotni in lahko na podlagi te odpornosti določijo stanja, ki ustrezata ničli in ena, to sta tisti, ki jih uporablja logiko binarni, ki omogoča delovanje elektronskih naprav.

V amorfnem stanju je upor večji in predstavlja ničelno stanje, v kristalnem pa je odpor nižji in predstavlja binarno stanje.

Ta sprememba stanja se izvaja z večjo

hitrost kot pri napravah, ki temeljijo na silicijevi tehnologiji, še posebej, ko govorimo o pisanje, operacija je običajno počasnejša od branje, kar je tudi hitreje kot spomini na osnovi silicija.

Ta tehnologija je podobna tisti, ki jo najdemo na CD-jih in DVD, in čeprav je v teh primerih uporabljen osnovni material enak, se pri teh diskih manipulira z optičnimi lastnostmi in ne z električno upornostjo.

Druga lastnost teh spominov je ta, da je njihova življenjska doba daljša kot pri tradicionalnih silicijevih spominih.

Upa v prihodnost

Trenutno zmogljivost, ki jo ponujajo naprave skladiščenje temelji na pomnilniku PRAM je primerljiv in celo slabši od tehnologij drugih tehnologij, kot je flash, vendar Zgornja meja, do katere jih je mogoče izračunati, je veliko višja in to je tehnologija, ki trenutno obstaja začenjajo izvajati.

Vsi tudi vemo, kako tehnološka industrija rada že prej iztisne obstoječe tehnologije si na trgu lansira nove, tako da za popularizacijo CRAM-a še vedno obstaja vreme.

Naprave s pomnilniki tipa OUM bodo zelo hitre, še posebej pri pisanju, torej v najtesnejši prihodnosti Tovrstna rešitev je pričakovana na področju visoko zmogljivih sistemov, kot so strežniki, igre na srečo in vrhunske mobilne naprave. visoko.

Fotografije: iStock - Reptile8488 / J-Roman

Teme v pomnilniku PCRAM, PCM, PRAM